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安吉达电子（深圳）有限公司
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产品信息
规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Broadcom Limited
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: pHEMT
技术: GaAs
增益: 17.5 dB
Vds-漏源极击穿电压: 5.5 V
Id-连续漏极电流: 54 mA
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 550 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSLP-8
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 400 MHz to 1.5 GHz
产品: RF JFET
类型: GaAs pHEMT
商标: Broadcom / Avago
NF—噪声系数: 0.53 dB
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
MGA-631P8-TR1G MGA-631P8-TR1G MGA-631P8-TR1G