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安吉达电子(深圳)有限公司
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晶体管 SI2301CDS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
3000
相关产品
产品信息
品牌 Vishay
型号SI2301CDS-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
信息
数据列表 SI2301CDS;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
其它名称 SI2301CDS-T1-GE3TR
SI2301CDST1GE3
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 10nC @ 4.5V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3