安吉达电子（深圳）有限公司

Siemens Semiconductors 在 1999 年 4 月 1 日更名为 Infineon Technologies。 这是一家充满活力和动力的公司，在微电子领域颇有建树。

Infineon 是的设计商、制造商和供应商，提供广泛的适用于各种微电子应用的半导体产品。 Infineon 的产品组合由逻辑产品组成，包括数字、混合信号和模拟集成电路以及分立半导体产品。

制造商          Infineon Technologies

制造商零件编号       IRL2203NPBF

描述  

MOSFET N-CH 30V

116A TO-220AB

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）   1（无限）

原厂标准交货期       26 周

详细描述       通孔 N 沟道 pval(2068) 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB

一般信息

数据列表       IRL2203NPbF;

标准包装      50

包装   管件  

零件状态       在售

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列   HEXFET®

规格

FET 类型      N 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   30V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）        116A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）        4.5V，10V

不同

Id，Vgs 时的 Rds On（值）   7 毫欧

@ 60A，10V

不同

Id 时的 Vgs（th）（值）        1V @ 250μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）       60nC @ 4.5V

Vgs（值）        ±16V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（值）       3290pF @ 25V

FET 功能      -

功率耗散（值） 180W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装       TO-220AB

封装/外壳     TO-220-3

文档

产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)

仿真模型       IRL2203N Spice Model

其它有关文件 Part Number Guide

设计资源       IRL2203N Saber Model

PCN 封装     Barcode Label Update 24/Feb/2017

Mult Device

Standard Label Chg 29/Sep/2017

Package Drawing

Update 19/Aug/2015

Packing Material

Update 16/Sep/2016

图像和媒体

产品相片       TO-220AB PKG

产品培训模块 Discrete Power MOSFETs 40V and

Below

High Voltage

Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

特色产品       Data Processing Systems